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AMD 3D V-Cache RAM的读写速度超过182和175GB/s,创下新纪录

更新时间:2023-11-27 23:53:23作者:relsound
AMD 的 3D V-Cache 技术利用堆叠在 CPU 内核所在的 CPU 逻辑芯片顶部的 SRAM 块,允许处理器访问大量缓存池以进行应用。不过,将这种额外的三级(L3)缓存用作内存盘似乎也是可行的。L3 SRAM 的行为类似于存储驱动器,不过测试中只有将 L3 暴露在 CrystalDiskMark 基准下才有可能做到这一点,而现实世界中的应用程序则无法以 CrystalDiskMark 的方式做到这一点。AMD 3D V-Cache RAM的读写速度超过182和175GB/s,创下新纪录

根据 X/Twitter 用户 Nemez(@GPUsAreMagic)的说法,复制此程序的步骤如下: 获取带有 3D V-Cache 的 AMD Ryzen CPU,安装 OSFMount 并创建一个 FAT32 格式的 RAM 磁盘,然后运行 CrystalDiskMark,将值设置为 SEQ 256 KB、队列深度 1、线程 16,数据填充为 0 而不是随机。

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实验结果看起来相当惊人,因为 L3 SRAM 的特性是内存很小,但速度非常快,CPU 可以访问,因此它可以在进入系统 RAM 之前帮助本地加载数据。使用 AMD Ryzen 7 5800X3D,该内存盘的读取速度超过 182 GB/s,写入速度超过 175 GB/s。在阿尔伯特-托马斯(@ultrawide219)分享的另一项测试中,我们看到了基于 AMD Ryzen 7800X3D V-Cache 的 RAM 磁盘,读取速度超过 178 GB/s,写入速度超过 163 GB/s,得分稍低。同样,CrystalDiskMark 仅在 16 MiB 和 32 MiB 之间的小分配上进行了这些测试,因此实际工作负载还无法使用这些测试。

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